美光宣布在美投资增至 2000 亿美元, 加建晶圆厂和 HBM 封装设施

IT之家6月13日消息，美光当地时间昨日宣布将在美国的投资从此前宣布的1250亿美元扩大至2000亿美元（IT之家注：现汇率约合1.44万亿元人民币），包括额外250亿美元的内存制造投资和单独500亿美元的研发投资。

美光此前已启动位于其总部爱达荷州博伊西的1座DRAM内存晶圆厂建设，并计划在纽约州克莱再建设4座大型内存晶圆厂。

此次的新公告则计划在博伊西加建一座晶圆厂、建设HBM封装设施、对弗吉尼亚州马纳萨斯晶圆厂进行扩建和现代化。

马纳萨斯晶圆厂将制造已相对成熟的1-alpha(1anm)DRAM，保障美国多个关键领域的内存供应。美国商务部已敲定对该项目的2.75亿美元《CHIPS》法案补贴，这意味着美光所获直接资金支持总额上升至64亿美元。

美光在博伊西新建的第一座晶圆厂计划于2027年开始生产DRAM，克莱建设项目有望在今年晚些时候启动地面准备。该企业认为博伊西第二新晶圆厂将在克莱第一晶圆厂前上线；而在博伊西两座新厂竣工后HBM封装项目也将启动。